Nagbibigay ang aming kumpanyaSiC coatingproseso ng mga serbisyo sa ibabaw ng grapayt, keramika at iba pang mga materyales sa pamamagitan ng CVD na pamamaraan, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silikon ay maaaring mag-react sa mataas na temperatura upang makakuha ng mataas na kadalisayan na mga molekula ng Sic, na maaaring ideposito sa ibabaw ng mga pinahiran na materyales upang bumuo ng isangSiC protective layerpara sa epitaxy barrel type hy pnotic.
Pangunahing tampok:
1. Mataas na kadalisayan na SiC coated graphite
2. Superior heat resistance at thermal pagkakapareho
3. MabutiSiC crystal coatedpara sa makinis na ibabaw
4. Mataas na tibay laban sa paglilinis ng kemikal
![Barrel Susceptor para sa Liquid Phase Epitaxy](http://cdn.globalso.com/semi-cera/Barrel-Susceptor-for-Liquid-Phase-Epitaxy.png)
Pangunahing Pagtutukoy ngPatong ng CVD-SIC
Mga Katangian ng SiC-CVD | ||
Istraktura ng Kristal | FCC β phase | |
Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
Katigasan | Vickers tigas | 2500 |
Sukat ng Butil | μm | 2~10 |
Kalinisan ng Kemikal | % | 99.99995 |
Kapasidad ng init | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura ng Sublimation | ℃ | 2700 |
Lakas ng Felexural | MPa (RT 4-point) | 415 |
Young's Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Thermal conductivity | (W/mK) | 300 |
![2--cvd-sic-purity---99-99995-_60366](http://cdn.globalso.com/semi-cera/2-cvd-sic-purity-99-99995-_60366.jpg)
![5----sic-crystal_242127](http://cdn.globalso.com/semi-cera/5-sic-crystal_242127.jpg)
![Lugar ng trabaho sa Semicera](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place2.jpg)
![Lugar ng trabaho sa Semicera 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-22.jpg)
![Makina ng kagamitan](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
![Pagproseso ng CNN, paglilinis ng kemikal, patong ng CVD](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating2.jpg)
![Aming serbisyo](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service3.jpg)
-
Buhaghag na tantalum carbide, mainit na materyal para sa...
-
Half Parts para sa SiC Epitaxial Equipment
-
41 piraso 4 inch graphite base MOCVD equipment ...
-
Silicon Carbide Coated Graphite Tool , para sa Epit...
-
Graphite Susceptctor na may Silicon Carbide Coatin...
-
Tantalum carbide (TaC) coatings na may mataas na purit...