English

Thermal field material para sa silicon carbide crystal growth – porous tantalum carbide

Thermal field material para sa silicon carbide crystal growth – porous tantalum carbide Itinatampok na Larawan
  • Thermal field material para sa silicon carbide crystal growth – porous tantalum carbide

Maikling Paglalarawan:

Ang buhaghag na tantalum carbide ay pangunahing ginagamit para sa pagsasala ng bahagi ng gas, pagsasaayos ng lokal na gradient ng temperatura, paggabay sa direksyon ng daloy ng materyal, pagkontrol sa pagtagas, atbp. Maaari itong magamit kasama ng isa pang solidong tantalum carbide (compact) o tantalum carbide coating mula sa Semicera Technology upang bumuo ng mga lokal na bahagi na may iba't ibang daloy ng conductance.

 

 


Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Ang Semicera Semicera ay nagbibigay ng espesyal na tantalum carbide (TaC) coatings para sa iba't ibang bahagi at carrier.Ang Semicera Semicera leading coating process ay nagbibigay-daan sa tantalum carbide (TaC) coatings na makamit ang mataas na kadalisayan, mataas na temperatura na katatagan at mataas na chemical tolerance, pagpapabuti ng kalidad ng produkto ng SIC/GAN crystals at EPI layers (Graphite coated TaC susceptor), at pagpapahaba ng buhay ng mga pangunahing bahagi ng reaktor.Ang paggamit ng tantalum carbide TaC coating ay upang malutas ang problema sa gilid at mapabuti ang kalidad ng paglaki ng kristal, at ang Semicera Semicera ay nalutas ang tagumpay sa tantalum carbide coating technology (CVD), na umabot sa internasyonal na advanced na antas.

Matapos ang mga taon ng pag-unlad, nasakop ng Semicera ang teknolohiya ngCVD TaCsa magkasanib na pagsisikap ng departamento ng R&D.Ang mga depekto ay madaling mangyari sa proseso ng paglago ng SiC wafers, ngunit pagkatapos gamitinTaC, ang pagkakaiba ay makabuluhan.Nasa ibaba ang isang paghahambing ng mga wafer na may at walang TaC, pati na rin ang mga bahagi ng Simicera para sa solong paglaki ng kristal

b917b6b4-7572-47fe-9074-24d33288257c

Tac bahagi para sa paglago solong kristal

Antiwear tantalum carbide coating_ Pinoprotektahan ang kagamitan mula sa pagkasira at kaagnasan Tampok na Larawan

Graphite na may TaC coated ring

微信图片_20240227150045

mayroon at walang TaC

微信图片_20240227150053

Pagkatapos gamitin ang TaC (kanan)

Bilang karagdagan, ang buhay ng serbisyo ng mga produktong TaC coating ng Semicera ay mas mahaba at mas lumalaban sa mataas na temperatura kaysa sa SiC coating.Pagkatapos ng mahabang panahon ng data ng pagsukat sa laboratoryo, ang aming TaC ay maaaring gumana nang mahabang panahon sa maximum na 2300 degrees Celsius.Ang mga sumusunod ay ilan sa aming mga sample:

3 (2)

TaC coated susceptor

Makabagong teknolohiya ng tantalum carbide coating_ Pinahusay na tigas ng materyal at mataas na temperatura na pagtutol

Graphite na may TaC coated reactor

微信截图_20240227145010

(a) Schematic diagram ng SiC single crystal ingot growing device sa pamamagitan ng PVT method (b) Top TaC coated seed bracket (kabilang ang SiC seed) (c) TAC-coated graphite guide ring

ZDFVzCFV
Pangunahing tampok
Lugar ng trabaho sa Semicera
Lugar ng trabaho sa Semicera 2
Makina ng kagamitan
Pagproseso ng CNN, paglilinis ng kemikal, patong ng CVD
Aming serbisyo
  • Nakaraan:
  • Susunod:

    • KAUGNAY NA MGA PRODUKTO