SemiceraSilicon Carbide Ceramic Coatingay isang high-performance protective coating na gawa sa napakatigas at wear-resistant na silicon carbide (SiC) na materyal. Ang patong ay karaniwang idineposito sa ibabaw ng substrate sa pamamagitan ng proseso ng CVD o PVD na maymga particle ng silikon karbida, na nagbibigay ng mahusay na chemical corrosion resistance at mataas na temperatura na katatagan. Samakatuwid, ang Silicon Carbide Ceramic Coating ay malawakang ginagamit sa mga pangunahing bahagi ng kagamitan sa pagmamanupaktura ng semiconductor.
Sa paggawa ng semiconductor,SiC coatingmaaaring makatiis ng napakataas na temperatura na hanggang 1600°C, kaya ang Silicon Carbide Ceramic Coating ay kadalasang ginagamit bilang protective layer para sa mga kagamitan o tool upang maiwasan ang pinsala sa mataas na temperatura o kinakaing unti-unti na mga kapaligiran.
Kasabay nito,silicon carbide ceramic coatingmaaaring labanan ang pagguho ng mga acid, alkalis, oxides at iba pang mga kemikal na reagents, at may mataas na pagtutol sa kaagnasan sa iba't ibang mga kemikal na sangkap. Samakatuwid, ang produktong ito ay angkop para sa iba't ibang kinakaing unti-unti na kapaligiran sa industriya ng semiconductor.
Bukod dito, kumpara sa iba pang mga ceramic na materyales, ang SiC ay may mas mataas na thermal conductivity at maaaring epektibong magsagawa ng init. Tinutukoy ng tampok na ito na sa mga proseso ng semiconductor na nangangailangan ng tumpak na kontrol sa temperatura, ang mataas na thermal conductivity ngSilicon Carbide Ceramic Coatingtumutulong sa pantay na pagkalat ng init, maiwasan ang lokal na overheating, at tiyaking gumagana ang device sa pinakamainam na temperatura.
| Mga pangunahing pisikal na katangian ng CVD sic coating | |
| Ari-arian | Karaniwang Halaga |
| Istraktura ng Kristal | FCC β phase polycrystalline, higit sa lahat (111) oriented |
| Densidad | 3.21 g/cm³ |
| Katigasan | 2500 Vickers tigas（500g load） |
| Laki ng Butil | 2~10μm |
| Kalinisan ng Kemikal | 99.99995% |
| Kapasidad ng init | 640 J·kg-1·K-1 |
| Temperatura ng Sublimation | 2700 ℃ |
| Flexural na Lakas | 415 MPa RT 4-point |
| Young's Modulus | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| Thermal Conductivity | 300W·m-1·K-1 |
| Thermal Expansion(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
