Paglalarawan
Ang aming kumpanya ay nagbibigay ng mga serbisyo sa proseso ng SiC coating sa pamamagitan ng CVD na pamamaraan sa ibabaw ng grapayt, keramika at iba pang mga materyales, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silikon ay tumutugon sa mataas na temperatura upang makakuha ng mataas na kadalisayan ng mga molekula ng SiC, mga molekula na idineposito sa ibabaw ng mga pinahiran na materyales, bumubuo ng SIC protective layer.
Pangunahing Tampok
1. Mataas na temperatura ng oxidation resistance: ang oxidation resistance ay napakahusay pa rin kapag ang temperatura ay kasing taas ng 1600 C.
2. Mataas na kadalisayan: ginawa sa pamamagitan ng chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na kondisyon ng chlorination.
3. Erosion resistance: mataas na tigas, compact surface, fine particles.
4. Corrosion resistance: acid, alkali, asin at organic reagents.
Pangunahing Detalye ng CVD-SIC Coating
| Mga Katangian ng SiC-CVD | ||
| Istraktura ng Kristal | FCC β phase | |
| Densidad | g/cm ³ | 3.21 |
| Katigasan | Vickers tigas | 2500 |
| Sukat ng Butil | μm | 2~10 |
| Kalinisan ng Kemikal | % | 99.99995 |
| Kapasidad ng init | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura ng Sublimation | ℃ | 2700 |
| Lakas ng Felexural | MPa (RT 4-point) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4pt bend, 1300℃) | 430 |
| Thermal Expansion (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Thermal conductivity | (W/mK) | 300 |
-
Graphite heater hot zone/graphite hot field, ca...
-
Mga SiC pin tray para sa mga proseso ng pag-ukit ng ICP sa ...
-
Half Parts para sa SiC Epitaxial Equipment
-
Carbide-Coated Reactor Barrel Reactor
-
SiC Coated Graphite Barrel para sa Epitaxial Growth
-
SiC-Coated Semiconductor Epitaxial Reactor para sa ...