Mga Tampok ng Produkto ng SiC
Mataas na temperatura at lumalaban sa kaagnasan, pagpapabuti ng kalidad at pagiging produktibo ng wafer
Ang SiC ay tumutukoy sa silicon carbide.Ang Silicon carbide (SiC) ay gawa sa quartz sand, coke at iba pang hilaw na materyales sa pamamagitan ng mataas na temperatura na pagtunaw ng furnace.Ang kasalukuyang pang-industriya na produksyon ng silikon karbid ay may dalawang uri, itim na silikon karbid at berdeng silikon karbid.Parehong heksagonal na kristal, ang tiyak na gravity ng 3.21g / cm3, micro tigas ng 2840 ~ 3320kg / mm2.
Hindi bababa sa 70 uri ng mala-kristal na silikon karbid, dahil sa mababang gravity nito 3.21g/cm3 at mataas na temperatura lakas, ito ay angkop para sa mga bearings o mataas na temperatura furnace raw materyales.sa anumang presyon ay hindi maabot, at may isang makabuluhang mababang aktibidad ng kemikal.
Kasabay nito, sinubukan ng maraming tao na palitan ang silicon ng silicon carbide dahil sa kanilang mataas na thermal conductivity, mataas na crush electric field strength at mataas na maximum current density.Kamakailan lamang, sa paggamit ng mga bahagi ng mataas na kapangyarihan ng semiconductor.Sa katunayan, ang silikon karbid substrate sa thermal kondaktibiti, higit sa 10 beses na mas mataas kaysa sa sapiro substrate, kaya ang paggamit ng silikon karbid substrate LED bahagi, na may mahusay na kondaktibiti at thermal kondaktibiti, medyo kaaya-aya sa produksyon ng mataas na kapangyarihan LED.
Mga Teknikal na Parameter
