Paglalarawan ng Produkto
4h-n 4inch 6inch dia100mm sic seed wafer 1mm kapal para sa ingot growth
Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC ingots/High purity 4H-N 4inch 6inch dia 150mm silicon carbide single crystal (sic) substrates wafersS/ Customzied as-cut sic waferProduction 4inch grade 4H-N 1.5mm SIC Wafers para sa seed crystal
Tungkol sa Silicon Carbide (SiC)Crystal
Ang Silicon carbide (SiC), na kilala rin bilang carborundum, ay isang semiconductor na naglalaman ng silicon at carbon na may chemical formula na SiC. Ang SiC ay ginagamit sa mga semiconductor electronics device na nagpapatakbo sa mataas na temperatura o mataas na boltahe, o pareho. Ang SiC ay isa rin sa mga mahalagang bahagi ng LED, ito ay isang sikat na substrate para sa lumalaking GaN device, at ito rin ay nagsisilbing heat spreader sa high- mga power LED.
Paglalarawan
| Ari-arian | 4H-SiC, Isang Kristal | 6H-SiC, Isang Kristal |
| Mga Parameter ng Sala-sala | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Pagkakasunud-sunod ng Stacking | ABCB | ABCACB |
| Katigasan ng Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Therm. Expansion Coefficient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Refraction Index @750nm | hindi = 2.61 | hindi = 2.60 |
| Dielectric Constant | c~9.66 | c~9.66 |
| Thermal Conductivity (N-type, 0.02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K |
|
| Thermal Conductivity (Semi-insulating) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| Band-gap | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Nasira-Down Electrical Field | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Saturation Drift Velocity | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
