SiC coated na proseso para sa graphite base na SiC Coated Graphite Carrier

Pinapanatili namin ang napakalapit na pagpapahintulot kapag inilalapat angSiC coating, gamit ang high-precision machining para matiyak ang pare-parehong profile ng susceptor.Gumagawa din kami ng mga materyales na may perpektong katangian ng paglaban sa kuryente para gamitin sa mga inductively heated system.Ang lahat ng natapos na bahagi ay may kasamang purity at dimensional na sertipiko ng pagsunod.

Nagbibigay ang aming kumpanyaSiC coatingproseso ng mga serbisyo sa pamamagitan ng CVD paraan sa ibabaw ng grapayt, keramika at iba pang mga materyales, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silikon reaksyon sa mataas na temperatura upang makakuha ng mataas na kadalisayan SiC molecules, molecules idineposito sa ibabaw ng pinahiran materyales, na bumubuo ng SIC proteksiyon layer.Ang nabuong SIC ay mahigpit na nakagapos sa graphite base, na nagbibigay sa graphite base ng mga espesyal na katangian, kaya ginagawa ang ibabaw ng graphite compact, Porosity-free, mataas na temperatura na resistensya, corrosion resistance at oxidation resistance.

Ang proseso ng CVD ay naghahatid ng napakataas na kadalisayan at teoretikal na density ngSiC coatingna walang porosity.Higit pa rito, dahil ang silicon carbide ay napakatigas, maaari itong pulihin sa parang salamin na ibabaw.CVD silicon carbide (SiC) coatingnaghatid ng ilang mga pakinabang kabilang ang napakataas na kadalisayan ng ibabaw at labis na tibay ng pagsusuot.Dahil ang mga pinahiran na produkto ay may mahusay na pagganap sa mataas na vacuum at mataas na temperatura na kalagayan, ang mga ito ay mainam para sa mga aplikasyon sa industriya ng semiconductor at iba pang napakalinis na kapaligiran.Nagbibigay din kami ng mga produktong pyrolytic graphite (PG).