SiC Coated Graphite Base Susceptors para sa MOCVD

SiC Coated Graphite Base Susceptorspara sa MOCVD mula sa semicera ay ininhinyero upang magbigay ng pambihirang pagganap sa mga proseso ng paglago ng epitaxial. Tinitiyak ng mataas na kalidad na silicon carbide coating sa graphite base ang katatagan, tibay, at pinakamainam na thermal conductivity sa panahon ng mga operasyon ng MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Sa pamamagitan ng paggamit ng makabagong teknolohiya ng susceptor ng semicera, makakamit mo ang pinahusay na katumpakan at kahusayan saSi EpitaxyatSiC Epitaxymga aplikasyon.

Ang mga itoMga Susceptor ng MOCVDay idinisenyo upang suportahan ang isang hanay ng mga mahahalagang bahagi ng semiconductor, tulad ngPSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, atTagapagdala ng RTP, ginagawa silang maraming nalalaman para sa iba't ibang mga gawain sa pag-ukit at epitaxial. Tinitiyak ng pangako ng Semicera sa matataas na pamantayan na natutugunan ng mga susceptor na ito ang mahigpit na hinihingi ng modernong produksyon ng semiconductor.

Tamang-tama para sa paggamit saLED EpitaxialMga proseso ng Susceptor, Barrel Susceptor, at Monocrystalline Silicon, maaaring i-customize ang mga susceptor na ito para sa iba't ibang laki ng wafer, kabilang ang mga configuration ng Pancake Susceptor. Ang mga ito ay lubos na epektibo sa paghawak ng mga Bahagi ng Photovoltaic, na ginagawa silang isang mahalagang bahagi sa pagbuo ng mga mahusay na solar cell.

Bilang karagdagan, ang SiC Coated Graphite Base Susceptors para sa MOCVD ay na-optimize para sa GaN sa SiC Epitaxy, na nag-aalok ng mataas na compatibility sa mga advanced na semiconductor na materyales. Nakatuon ka man sa pagpapabuti ng mga ani o pagpapahusay sa kalidad ng paglago ng epitaxial, ang mga susceptor ng semicera ay nagbibigay ng pagiging maaasahan at pagganap na kailangan para sa tagumpay sa mga high-tech na industriya.