Paggalugad ng mga semiconductor silicon carbide epitaxial disk: Mga bentahe sa pagganap at mga prospect ng aplikasyon

Sa larangan ngayon ng elektronikong teknolohiya, ang mga semiconductor na materyales ay may mahalagang papel.Kabilang sa mga ito, ang silicon carbide (SiC) bilang isang malawak na band gap na materyal na semiconductor, na may mahusay na mga pakinabang sa pagganap, tulad ng mataas na breakdown electric field, mataas na saturation speed, mataas na thermal conductivity, atbp., ay unti-unting nagiging pokus ng mga mananaliksik at mga inhinyero.Ang silicon carbide epitaxial disk, bilang isang mahalagang bahagi nito, ay nagpakita ng mahusay na potensyal na aplikasyon.

一、pagganap ng epitaxial disk: buong pakinabang
1. Ultra-high breakdown electric field: kumpara sa tradisyonal na silikon na materyales, ang breakdown electric field ng silicon carbide ay higit sa 10 beses.Nangangahulugan ito na sa ilalim ng parehong mga kondisyon ng boltahe, ang mga elektronikong aparato na gumagamit ng silicon carbide epitaxial disk ay maaaring makatiis ng mas mataas na alon, sa gayon ay lumilikha ng mataas na boltahe, mataas na dalas, mataas na kapangyarihan na mga elektronikong aparato.
2. High-speed saturation speed: ang saturation speed ng silicon carbide ay higit sa 2 beses kaysa sa silicon.Gumagana sa mataas na temperatura at mataas na bilis, ang silicon carbide epitaxial disk ay gumaganap nang mas mahusay, na makabuluhang nagpapabuti sa katatagan at pagiging maaasahan ng mga elektronikong aparato.
3. Mataas na kahusayan ng thermal conductivity: ang thermal conductivity ng silicon carbide ay higit sa 3 beses kaysa sa silikon.Ang tampok na ito ay nagbibigay-daan sa mga elektronikong aparato na mas mahusay na mawala ang init sa panahon ng tuluy-tuloy na high-power na operasyon, sa gayon ay maiiwasan ang overheating at pagpapabuti ng kaligtasan ng device.
4. Napakahusay na katatagan ng kemikal: sa matinding kapaligiran tulad ng mataas na temperatura, mataas na presyon at malakas na radiation, ang pagganap ng silikon karbid ay matatag pa rin tulad ng dati.Ang tampok na ito ay nagbibigay-daan sa silicon carbide epitaxial disk na mapanatili ang mahusay na pagganap sa harap ng mga kumplikadong kapaligiran.
二、proseso ng paggawa: maingat na inukit
Ang mga pangunahing proseso para sa paggawa ng SIC epitaxial disk ay kinabibilangan ng physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD) at epitaxial growth.Ang bawat isa sa mga prosesong ito ay may sariling mga katangian at nangangailangan ng tumpak na kontrol ng iba't ibang mga parameter upang makamit ang pinakamahusay na mga resulta.
1. Proseso ng PVD: Sa pamamagitan ng evaporation o sputtering at iba pang mga pamamaraan, ang target ng SiC ay idineposito sa substrate upang bumuo ng isang pelikula.Ang pelikula na inihanda ng pamamaraang ito ay may mataas na kadalisayan at mahusay na pagkikristal, ngunit ang bilis ng produksyon ay medyo mabagal.
2. Proseso ng CVD: Sa pamamagitan ng pag-crack ng silicon carbide source gas sa mataas na temperatura, ito ay idineposito sa substrate upang bumuo ng isang manipis na pelikula.Ang kapal at pagkakapareho ng pelikula na inihanda ng pamamaraang ito ay nakokontrol, ngunit ang kadalisayan at pagkakristal ay mahirap.
3. Epitaxial growth: paglago ng SiC epitaxial layer sa monocrystalline silicon o iba pang monocrystalline na materyales sa pamamagitan ng chemical vapor deposition method.Ang epitaxial layer na inihanda ng pamamaraang ito ay may mahusay na pagtutugma at mahusay na pagganap sa materyal na substrate, ngunit ang gastos ay medyo mataas.
三、Application prospect: Lumiwanag ang hinaharap
Sa patuloy na pag-unlad ng teknolohiya ng power electronics at pagtaas ng demand para sa mataas na pagganap at mataas na pagiging maaasahan ng mga elektronikong aparato, ang silicon carbide epitaxial disk ay may malawak na prospect ng aplikasyon sa paggawa ng semiconductor device.Ito ay malawakang ginagamit sa paggawa ng mga high-frequency high-power semiconductor device, tulad ng mga power electronic switch, inverters, rectifiers, atbp. Bilang karagdagan, ito ay malawakang ginagamit sa mga solar cell, LED at iba pang larangan.
Sa natatanging bentahe ng pagganap at patuloy na pagpapabuti ng proseso ng pagmamanupaktura, unti-unting ipinapakita ng silicon carbide epitaxial disk ang malaking potensyal nito sa larangan ng semiconductor.Mayroon kaming dahilan upang maniwala na sa hinaharap ng agham at teknolohiya, ito ay gaganap ng isang mas mahalagang papel.