SOI Wafers

Maikling Paglalarawan:

Ang SOI wafer ay parang sandwich na istraktura na may tatlong layer; Kabilang ang tuktok na layer (layer ng device), ang gitna ng nakabaon na layer ng oxygen (para sa insulating layer ng SiO2) at ang ilalim na substrate (bulk silicon). Ginagawa ang mga SOI wafer gamit ang SIMOX method at wafer bonding technology, na nagbibigay-daan para sa mas manipis at mas tumpak na mga layer ng device, pare-parehong kapal at mababang density ng depekto.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

SOI Wafers(1)

Patlang ng aplikasyon

1. High-speed integrated circuit

2. Mga aparatong microwave

3. Mataas na temperatura integrated circuit

4. Mga power device

5. Mababang kapangyarihan integrated circuit

6. MEMS

7. Mababang boltahe integrated circuit

item		Pangangatwiran
Sa pangkalahatan	Diameter ng Wafer 晶圆尺寸(mm)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	Bow/Warp 翘曲度(	<10um
	Mga particle 颗粒度(	0.3um<30ea
	Flats/bingaw 定位边/定位槽	Flat o Notch
	Pagbubukod ng Edge 边缘去除(mm)	/
Layer ng Device 器件层	Uri/Dopant ng device-layer 器件层掺杂类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb / Bilang
	Oryentasyon ng layer ng device 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Kapal ng layer ng device 器件层厚度(um)	0.1~300um
	Resistivity ng layer ng device 器件层电阻率(ohm•cm)	0.001~100,000 ohm-cm
	Mga Particle ng Layer ng Device 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	TTV ng Layer ng Device 器件层TTV(	<10um
	Tapos na ang Layer ng Device 器件层表面处理	Pinakintab
KAHON	Nakabaon na Thermal Oxide Thickness 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å)~15um
Hawakan ang Layer 衬底	Pangasiwaan ang Uri ng Wafer/Dopant 衬底层类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb / Bilang
	Pangasiwaan ang Wafer Orientation 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Pangasiwaan ang Wafer Resistivity 衬底电阻率(ohm•cm)	0.001~100,000 ohm-cm
	Pangasiwaan ang Kapal ng Wafer 衬底厚度(um)	>100um
	Hawakan ang Wafer Finish 衬底表面处理	Pinakintab
Ang mga wafer ng SOI ng target na mga detalye ay maaaring ipasadya ayon sa mga kinakailangan ng customer.