Silicon Carbide Coated Barrel Susceptor para sa Wafer Epitaxial

Maikling Paglalarawan:

Nag-aalok ang Semicera ng komprehensibong hanay ng mga susceptor at graphite na bahagi na idinisenyo para sa iba't ibang epitaxy reactor.

Sa pamamagitan ng mga madiskarteng pakikipagsosyo sa mga OEM na nangunguna sa industriya, malawak na kadalubhasaan sa materyales, at mga advanced na kakayahan sa pagmamanupaktura, naghahatid ang Semicera ng mga pinasadyang disenyo upang matugunan ang mga partikular na kinakailangan ng iyong aplikasyon. Tinitiyak ng aming pangako sa kahusayan na makakatanggap ka ng pinakamainam na solusyon para sa iyong mga pangangailangan sa epitaxy reactor.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Nagbibigay ang aming kumpanyaSiC coatingproseso ng mga serbisyo sa ibabaw ng grapayt, keramika at iba pang mga materyales sa pamamagitan ng CVD na pamamaraan, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silikon ay maaaring mag-react sa mataas na temperatura upang makakuha ng mataas na kadalisayan na mga Sic molecule, na maaaring ideposito sa ibabaw ng mga pinahiran na materyales upang bumuo ng isangSiC protective layerpara sa epitaxy barrel type hy pnotic.

Pangunahing tampok:

1. Mataas na kadalisayan na SiC coated graphite

2. Superior heat resistance at thermal pagkakapareho

3. MabutiSiC crystal coatedpara sa makinis na ibabaw

4. Mataas na tibay laban sa paglilinis ng kemikal

SiC Coated Barrel Susceptor para sa Wafer Epitaxial

Pangunahing Pagtutukoy ngPatong ng CVD-SIC

Mga Katangian ng SiC-CVD
Istraktura ng Kristal	FCC β phase
Densidad	g/cm ³	3.21
Katigasan	Vickers tigas	2500
Sukat ng Butil	μm	2~10
Kalinisan ng Kemikal	%	99.99995
Kapasidad ng init	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura ng Sublimation	℃	2700
Lakas ng Felexural	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300