-
Proseso ng Paggawa ng Semiconductor – Etch Technology
Daan-daang proseso ang kinakailangan upang gawing semiconductor ang isang wafer. Ang isa sa pinakamahalagang proseso ay ang pag-ukit - iyon ay, pag-ukit ng mga pinong pattern ng circuit sa wafer. Ang tagumpay ng proseso ng pag-ukit ay nakasalalay sa pamamahala ng iba't ibang mga variable sa loob ng isang hanay ng pamamahagi, at bawat pag-ukit...Magbasa pa -
Mainam na Materyal para sa Mga Focus Ring sa Plasma Etching Equipment: Silicon Carbide (SiC)
Sa mga kagamitan sa pag-ukit ng plasma, ang mga ceramic na bahagi ay gumaganap ng isang mahalagang papel, kabilang ang singsing na nakatuon. Ang focus ring, na inilagay sa paligid ng wafer at sa direktang pakikipag-ugnayan dito, ay mahalaga para sa pagtutok ng plasma sa wafer sa pamamagitan ng paglalagay ng boltahe sa singsing. Pinahuhusay nito ang un...Magbasa pa -
Epekto ng silicon carbide single crystal processing sa kalidad ng wafer surface
Ang mga semiconductor power device ay sumasakop sa isang pangunahing posisyon sa mga power electronic system, lalo na sa konteksto ng mabilis na pag-unlad ng mga teknolohiya tulad ng artificial intelligence, 5G na komunikasyon at mga bagong sasakyan sa enerhiya, ang mga kinakailangan sa pagganap para sa mga ito ay ...Magbasa pa -
Pangunahing pangunahing materyal para sa paglago ng SiC: Tantalum carbide coating
Sa kasalukuyan, ang ikatlong henerasyon ng mga semiconductor ay pinangungunahan ng silicon carbide. Sa istraktura ng gastos ng mga aparato nito, ang substrate ay nagkakahalaga ng 47%, at ang epitaxy ay nagkakahalaga ng 23%. Ang dalawang magkasama ay nagkakahalaga ng humigit-kumulang 70%, na siyang pinakamahalagang bahagi ng silicon carbide device manufa...Magbasa pa -
Paano pinapahusay ng mga produktong pinahiran ng tantalum carbide ang resistensya ng kaagnasan ng mga materyales?
Ang Tantalum carbide coating ay isang karaniwang ginagamit na teknolohiya sa paggamot sa ibabaw na maaaring makabuluhang mapabuti ang resistensya ng kaagnasan ng mga materyales. Ang tantalum carbide coating ay maaaring ikabit sa ibabaw ng substrate sa pamamagitan ng iba't ibang paraan ng paghahanda, tulad ng chemical vapor deposition, physica...Magbasa pa -
Kahapon, naglabas ang Science and Technology Innovation Board ng anunsyo na winakasan ng Huazhuo Precision Technology ang IPO nito!
Inanunsyo lang ang paghahatid ng unang 8-pulgadang SIC laser annealing equipment sa Tsina, na isa ring teknolohiya ng Tsinghua; Bakit sila mismo ang nag-withdraw ng mga materyales? Ilang salita lang: Una, ang mga produkto ay masyadong magkakaibang! Sa unang tingin, hindi ko alam kung ano ang ginagawa nila. Sa kasalukuyan, si H...Magbasa pa -
CVD silicon carbide coating-2
CVD silicon carbide coating 1. Bakit mayroong silicon carbide coating Ang epitaxial layer ay isang partikular na solong kristal na manipis na pelikula na pinatubo batay sa wafer sa pamamagitan ng proseso ng epitaxial. Ang substrate wafer at ang epitaxial thin film ay sama-samang tinatawag na epitaxial wafers. Kabilang sa mga ito, ang...Magbasa pa -
Proseso ng paghahanda ng SIC coating
Sa kasalukuyan, ang mga paraan ng paghahanda ng SiC coating ay pangunahing kinabibilangan ng gel-sol method, embedding method, brush coating method, plasma spraying method, chemical vapor reaction method (CVR) at chemical vapor deposition method (CVD). Paraan ng pag-embedAng paraang ito ay isang uri ng solid-phase na mataas ang temperatura ...Magbasa pa -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Ano ang CVD SiC Chemical vapor deposition (CVD) ay isang vacuum deposition na proseso na ginagamit upang makagawa ng high-purity solid na materyales. Ang prosesong ito ay kadalasang ginagamit sa larangan ng pagmamanupaktura ng semiconductor upang bumuo ng mga manipis na pelikula sa ibabaw ng mga wafer. Sa proseso ng paghahanda ng SiC sa pamamagitan ng CVD, ang substrate ay exp...Magbasa pa -
Pagsusuri ng istraktura ng dislokasyon sa SiC crystal sa pamamagitan ng ray tracing simulation na tinulungan ng X-ray topological imaging
Background ng pananaliksik Ang kahalagahan ng aplikasyon ng silicon carbide (SiC): Bilang isang malawak na bandgap na semiconductor na materyal, ang silicon carbide ay nakakaakit ng maraming atensyon dahil sa mahusay nitong mga katangian ng kuryente (tulad ng mas malaking bandgap, mas mataas na electron saturation velocity at thermal conductivity). Ang mga prop...Magbasa pa -
Proseso ng paghahanda ng seed crystal sa SiC single crystal growth 3
Pagpapatunay ng PaglagoAng silicon carbide (SiC) seed crystals ay inihanda kasunod ng nakabalangkas na proseso at napatunayan sa pamamagitan ng paglaki ng SiC crystal. Ang growth platform na ginamit ay isang self-developed SiC induction growth furnace na may temperatura ng paglago na 2200 ℃, isang pressure ng paglago na 200 Pa, at isang growt...Magbasa pa -
Proseso ng Paghahanda ng Seed Crystal sa SiC Single Crystal Growth (Bahagi 2)
2. Eksperimental na Proseso 2.1 Paggamot ng Malagkit na Pelikulang Napagmasdan na ang direktang paggawa ng carbon film o pagbubuklod ng graphite na papel sa mga SiC na wafer na pinahiran ng adhesive ay humantong sa ilang mga isyu: 1. Sa ilalim ng mga kondisyon ng vacuum, ang malagkit na pelikula sa mga SiC na wafer ay nakabuo ng parang sukat na hitsura dahil para pirmahan...Magbasa pa