-
Ang Thermal Stability ng Quartz Components sa Semiconductor Industry
Panimula Sa industriya ng semiconductor, ang thermal stability ay pinakamahalaga upang matiyak ang maaasahan at mahusay na operasyon ng mga kritikal na bahagi. Ang kuwarts, isang mala-kristal na anyo ng silicon dioxide (SiO2), ay nakakuha ng makabuluhang pagkilala para sa mga natatanging katangian ng thermal stability. T...Magbasa pa -
Corrosion Resistance ng Tantalum Carbide Coatings sa Semiconductor Industry
Pamagat: Corrosion Resistance ng Tantalum Carbide Coatings sa Semiconductor Industry Panimula Sa industriya ng semiconductor, ang corrosion ay nagdudulot ng malaking hamon sa kahabaan ng buhay at pagganap ng mga kritikal na bahagi. Ang Tantalum carbide (TaC) coatings ay lumitaw bilang isang promising solution ...Magbasa pa -
Paano sukatin ang paglaban ng sheet ng isang manipis na pelikula?
Ang mga manipis na pelikula na ginagamit sa paggawa ng semiconductor ay lahat ay may resistensya, at ang film resistance ay may direktang epekto sa pagganap ng device. Karaniwang hindi namin sinusukat ang ganap na pagtutol ng pelikula, ngunit ginagamit ang paglaban ng sheet upang makilala ito. Ano ang sheet resistance at volume resist...Magbasa pa -
Ang aplikasyon ng CVD silicon carbide coating ay epektibong mapabuti ang buhay ng trabaho ng mga bahagi?
Ang CVD silicon carbide coating ay isang teknolohiya na bumubuo ng isang manipis na pelikula sa ibabaw ng mga bahagi, na maaaring gumawa ng mga bahagi na magkaroon ng mas mahusay na wear resistance, corrosion resistance, mataas na temperatura resistance at iba pang mga katangian. Ang mga mahuhusay na katangiang ito ay gumagawa ng CVD silicon carbide coatings na malawak...Magbasa pa -
Ang CVD silicon carbide coatings ba ay may mahusay na mga katangian ng pamamasa?
Oo, ang CVD silicon carbide coatings ay may mahusay na mga katangian ng pamamasa. Ang pamamasa ay tumutukoy sa kakayahan ng isang bagay na mawala ang enerhiya at bawasan ang amplitude ng vibration kapag ito ay sumasailalim sa vibration o impact. Sa maraming mga aplikasyon, ang mga katangian ng pamamasa ay napakaimportante...Magbasa pa -
Silicon carbide semiconductor: isang environment friendly at mahusay na hinaharap
Sa larangan ng mga semiconductor na materyales, ang silicon carbide (SiC) ay lumitaw bilang isang promising na kandidato para sa susunod na henerasyon ng mahusay at environment friendly na semiconductors. Sa mga natatanging katangian at potensyal nito, ang silicon carbide semiconductors ay nagbibigay daan para sa isang mas napapanatiling...Magbasa pa -
Mga prospect ng aplikasyon ng mga bangkang wafer ng silicon carbide sa larangan ng semiconductor
Sa larangan ng semiconductor, ang pagpili ng materyal ay kritikal sa pagganap ng device at pagbuo ng proseso. Sa mga nagdaang taon, ang mga wafer ng silicon carbide, bilang isang umuusbong na materyal, ay nakakuha ng malawak na atensyon at nagpakita ng malaking potensyal para sa aplikasyon sa larangan ng semiconductor. Silicon...Magbasa pa -
Mga prospect ng aplikasyon ng silicon carbide ceramics sa larangan ng photovoltaic solar energy
Sa mga nakalipas na taon, habang tumataas ang pandaigdigang pangangailangan para sa nababagong enerhiya, ang photovoltaic solar energy ay naging lalong mahalaga bilang isang malinis, napapanatiling opsyon sa enerhiya. Sa pagbuo ng teknolohiyang photovoltaic, ang agham ng mga materyales ay gumaganap ng isang mahalagang papel. Kabilang sa mga ito, silicon carbide ceramics, isang...Magbasa pa -
Paraan ng paghahanda ng mga karaniwang bahagi ng grapayt na pinahiran ng TaC
PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) na paraan:Sa 900-2300 ℃, gamit ang TaCl5 at CnHm bilang tantalum at carbon sources, H₂ bilang reducing atmosphere, Ar₂as carrier gas, reaction deposition film. Ang handa na patong ay compact, uniporme at mataas na kadalisayan. Gayunpaman, may ilang mga problema...Magbasa pa -
Application ng TaC coated graphite parts
BAHAGI/1 Ang crucible, seed holder at guide ring sa SiC at AIN single crystal furnace ay pinalago sa pamamagitan ng PVT method Gaya ng ipinapakita sa Figure 2 [1], kapag ginamit ang physical vapor transport method (PVT) para ihanda ang SiC, ang seed crystal ay nasa ang medyo mababang temperatura na rehiyon, ang SiC r...Magbasa pa -
Istruktura at teknolohiya ng paglago ng silicon carbide (Ⅱ)
Ikaapat, Physical vapor transfer method Ang Physical vapor transport (PVT) method ay nagmula sa vapor phase sublimation technology na inimbento ni Lely noong 1955. Ang SiC powder ay inilalagay sa isang graphite tube at pinainit hanggang sa mataas na temperatura upang mabulok at ma-sublimate ang SiC pow...Magbasa pa -
Istruktura at teknolohiya ng paglago ng silicon carbide (Ⅰ)
Una, ang istraktura at mga katangian ng SiC crystal. Ang SiC ay isang binary compound na nabuo ng Si element at C element sa 1:1 ratio, iyon ay, 50% silicon (Si) at 50% carbon (C), at ang basic structural unit nito ay SI-C tetrahedron. Schematic diagram ng silicon carbide tetrahedro...Magbasa pa