-
Kahapon, naglabas ang Science and Technology Innovation Board ng anunsyo na winakasan ng Huazhuo Precision Technology ang IPO nito!
Inanunsyo lang ang paghahatid ng unang 8-pulgadang SIC laser annealing equipment sa Tsina, na isa ring teknolohiya ng Tsinghua; Bakit sila mismo ang nag-withdraw ng mga materyales? Ilang salita lang: Una, ang mga produkto ay masyadong magkakaibang! Sa unang tingin, hindi ko alam kung ano ang ginagawa nila. Sa kasalukuyan, si H...Magbasa pa -
CVD silicon carbide coating-2
CVD silicon carbide coating 1. Bakit mayroong silicon carbide coating Ang epitaxial layer ay isang partikular na solong kristal na manipis na pelikula na pinatubo batay sa wafer sa pamamagitan ng proseso ng epitaxial. Ang substrate wafer at ang epitaxial thin film ay sama-samang tinatawag na epitaxial wafers. Kabilang sa mga ito, ang...Magbasa pa -
Proseso ng paghahanda ng SIC coating
Sa kasalukuyan, ang mga paraan ng paghahanda ng SiC coating ay pangunahing kinabibilangan ng gel-sol method, embedding method, brush coating method, plasma spraying method, chemical vapor reaction method (CVR) at chemical vapor deposition method (CVD). Paraan ng pag-embedAng paraang ito ay isang uri ng solid-phase na mataas ang temperatura ...Magbasa pa -
CVD Silicon Carbide Coating-1
Ano ang CVD SiC Chemical vapor deposition (CVD) ay isang vacuum deposition na proseso na ginagamit upang makagawa ng high-purity solid na materyales. Ang prosesong ito ay kadalasang ginagamit sa larangan ng pagmamanupaktura ng semiconductor upang bumuo ng mga manipis na pelikula sa ibabaw ng mga wafer. Sa proseso ng paghahanda ng SiC sa pamamagitan ng CVD, ang substrate ay exp...Magbasa pa -
Pagsusuri ng istraktura ng dislokasyon sa SiC crystal sa pamamagitan ng ray tracing simulation na tinulungan ng X-ray topological imaging
Background ng pananaliksik Ang kahalagahan ng aplikasyon ng silicon carbide (SiC): Bilang isang malawak na bandgap na semiconductor na materyal, ang silicon carbide ay nakakaakit ng maraming atensyon dahil sa mahusay nitong mga katangian ng elektrikal (tulad ng mas malaking bandgap, mas mataas na electron saturation velocity at thermal conductivity). Ang mga prop...Magbasa pa -
Proseso ng paghahanda ng seed crystal sa SiC single crystal growth 3
Pagpapatunay ng PaglagoAng silicon carbide (SiC) seed crystals ay inihanda kasunod ng nakabalangkas na proseso at napatunayan sa pamamagitan ng paglaki ng SiC crystal. Ang growth platform na ginamit ay isang self-developed SiC induction growth furnace na may temperatura ng paglago na 2200 ℃, isang pressure ng paglago na 200 Pa, at isang growt...Magbasa pa -
Proseso ng Paghahanda ng Seed Crystal sa SiC Single Crystal Growth (Bahagi 2)
2. Eksperimental na Proseso 2.1 Paggamot ng Malagkit na Pelikulang Napagmasdan na ang direktang paggawa ng carbon film o pagbubuklod ng graphite na papel sa mga SiC na wafer na pinahiran ng adhesive ay humantong sa ilang mga isyu: 1. Sa ilalim ng mga kondisyon ng vacuum, ang malagkit na pelikula sa mga SiC na wafer ay nakabuo ng parang sukat na hitsura dahil para pirmahan...Magbasa pa -
Proseso ng Paghahanda ng Seed Crystal sa SiC Single Crystal Growth
Ang materyal na Silicon carbide (SiC) ay may mga pakinabang ng malawak na bandgap, mataas na thermal conductivity, mataas na critical breakdown field strength, at mataas na saturated electron drift velocity, na ginagawa itong lubos na maaasahan sa larangan ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang mga solong kristal ng SiC ay karaniwang ginagawa sa pamamagitan ng...Magbasa pa -
Ano ang mga paraan para sa wafer polishing?
Sa lahat ng mga prosesong kasangkot sa paglikha ng isang chip, ang huling kapalaran ng wafer ay ang gupitin sa mga indibidwal na dies at nakabalot sa maliliit, nakapaloob na mga kahon na may ilang pin lang na nakalantad. Ang chip ay susuriin batay sa mga halaga ng threshold, paglaban, kasalukuyang, at boltahe nito, ngunit walang sinuman ang magsasaalang-alang ...Magbasa pa -
Ang Pangunahing Panimula ng SiC Epitaxial Growth na Proseso
Ang epitaxial layer ay isang partikular na solong kristal na pelikula na lumago sa wafer sa pamamagitan ng ep·itaxial process, at ang substrate wafer at epitaxial film ay tinatawag na epitaxial wafer. Sa pamamagitan ng pagpapalaki ng silicon carbide epitaxial layer sa conductive silicon carbide substrate, ang silicon carbide homogeneous epitaxial...Magbasa pa -
Mga pangunahing punto ng kontrol sa kalidad ng proseso ng semiconductor packaging
Mga Pangunahing Punto para sa Quality Control sa Semiconductor Packaging ProcessSa kasalukuyan, ang proseso ng teknolohiya para sa semiconductor packaging ay makabuluhang napabuti at na-optimize. Gayunpaman, mula sa isang pangkalahatang pananaw, ang mga proseso at pamamaraan para sa semiconductor packaging ay hindi pa umabot sa pinakaperpektong...Magbasa pa -
Mga Hamon sa Proseso ng Semiconductor Packaging
Ang kasalukuyang mga diskarte para sa semiconductor packaging ay unti-unting nagpapabuti, ngunit ang lawak kung saan ang mga automated na kagamitan at teknolohiya ay pinagtibay sa semiconductor packaging ay direktang tumutukoy sa pagsasakatuparan ng mga inaasahang resulta. Ang umiiral na mga proseso ng packaging ng semiconductor ay nagdurusa pa rin sa...Magbasa pa