-
Proseso ng Paghahanda ng Seed Crystal sa SiC Single Crystal Growth (Bahagi 2)
2. Eksperimental na Proseso 2.1 Paggamot ng Malagkit na Pelikulang Napagmasdan na ang direktang paggawa ng carbon film o pagbubuklod ng graphite na papel sa mga SiC na wafer na pinahiran ng adhesive ay humantong sa ilang mga isyu: 1. Sa ilalim ng mga kondisyon ng vacuum, ang malagkit na pelikula sa mga SiC na wafer ay nakabuo ng parang sukat na hitsura dahil para pirmahan...Magbasa pa -
Proseso ng Paghahanda ng Seed Crystal sa SiC Single Crystal Growth
Ang materyal na Silicon carbide (SiC) ay may mga pakinabang ng malawak na bandgap, mataas na thermal conductivity, mataas na critical breakdown field strength, at mataas na saturated electron drift velocity, na ginagawa itong lubos na maaasahan sa larangan ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang mga solong kristal ng SiC ay karaniwang ginagawa sa pamamagitan ng...Magbasa pa -
Ano ang mga paraan para sa wafer polishing?
Sa lahat ng mga prosesong kasangkot sa paglikha ng isang chip, ang huling kapalaran ng wafer ay ang gupitin sa mga indibidwal na dies at nakabalot sa maliliit, nakapaloob na mga kahon na may ilang pin lang na nakalantad. Ang chip ay susuriin batay sa mga halaga ng threshold, paglaban, kasalukuyang, at boltahe nito, ngunit walang sinuman ang magsasaalang-alang ...Magbasa pa -
Ang Pangunahing Panimula ng SiC Epitaxial Growth na Proseso
Ang epitaxial layer ay isang partikular na solong kristal na pelikula na lumago sa wafer sa pamamagitan ng ep·itaxial process, at ang substrate wafer at epitaxial film ay tinatawag na epitaxial wafer. Sa pamamagitan ng pagpapalaki ng silicon carbide epitaxial layer sa conductive silicon carbide substrate, ang silicon carbide homogeneous epitaxial...Magbasa pa -
Mga pangunahing punto ng kontrol sa kalidad ng proseso ng semiconductor packaging
Mga Pangunahing Punto para sa Quality Control sa Semiconductor Packaging ProcessSa kasalukuyan, ang proseso ng teknolohiya para sa semiconductor packaging ay makabuluhang napabuti at na-optimize. Gayunpaman, mula sa isang pangkalahatang pananaw, ang mga proseso at pamamaraan para sa semiconductor packaging ay hindi pa umabot sa pinakaperpektong...Magbasa pa -
Mga Hamon sa Proseso ng Semiconductor Packaging
Ang kasalukuyang mga diskarte para sa semiconductor packaging ay unti-unting bumubuti, ngunit ang lawak kung saan ang mga automated na kagamitan at teknolohiya ay pinagtibay sa semiconductor packaging ay direktang tumutukoy sa pagsasakatuparan ng mga inaasahang resulta. Ang umiiral na mga proseso ng packaging ng semiconductor ay nagdurusa pa rin sa...Magbasa pa -
Pananaliksik at Pagsusuri ng Proseso ng Semiconductor Packaging
Pangkalahatang-ideya ng Proseso ng Semiconductor Pangunahing kinasasangkutan ng proseso ng semiconductor ang paglalapat ng microfabrication at mga teknolohiya ng pelikula upang ganap na ikonekta ang mga chip at iba pang elemento sa loob ng iba't ibang rehiyon, tulad ng mga substrate at frame. Pinapadali nito ang pagkuha ng mga lead terminal at encapsulation na may...Magbasa pa -
Mga Bagong Uso sa Industriya ng Semiconductor: Ang Application ng Protective Coating Technology
Ang industriya ng semiconductor ay nasasaksihan ang hindi pa naganap na paglago, lalo na sa larangan ng silicon carbide (SiC) power electronics. Sa maraming malalaking wafer fab na sumasailalim sa pagtatayo o pagpapalawak upang matugunan ang tumataas na pangangailangan para sa mga SiC device sa mga de-kuryenteng sasakyan, ito ...Magbasa pa -
Ano ang mga pangunahing hakbang sa pagproseso ng mga substrate ng SiC?
Kung paano tayo gumagawa ng mga hakbang sa pagproseso para sa mga substrate ng SiC ay ang mga sumusunod: 1. Oryentasyong Kristal: Paggamit ng X-ray diffraction upang i-orient ang crystal ingot. Kapag ang X-ray beam ay nakadirekta sa gustong kristal na mukha, tinutukoy ng anggulo ng diffracted beam ang kristal na oryentasyon...Magbasa pa -
Isang mahalagang materyal na tumutukoy sa kalidad ng paglago ng solong kristal na silikon - thermal field
Ang proseso ng paglago ng solong kristal na silikon ay ganap na isinasagawa sa thermal field. Ang isang mahusay na thermal field ay nakakatulong sa pagpapabuti ng kalidad ng kristal at may mataas na kahusayan sa pagkikristal. Ang disenyo ng thermal field ay higit na tinutukoy ang mga pagbabago at pagbabago...Magbasa pa -
Ano ang epitaxial growth?
Ang epitaxial growth ay isang teknolohiya na nagpapalaki ng isang kristal na layer sa isang kristal na substrate (substrate) na may parehong kristal na oryentasyon gaya ng substrate, na parang ang orihinal na kristal ay lumawak palabas. Ang bagong lumaki na solong kristal na layer na ito ay maaaring iba sa substrate sa mga tuntunin ng c...Magbasa pa -
Ano ang pagkakaiba sa pagitan ng substrate at epitaxy?
Sa proseso ng paghahanda ng wafer, mayroong dalawang pangunahing link: ang isa ay ang paghahanda ng substrate, at ang isa ay ang pagpapatupad ng proseso ng epitaxial. Ang substrate, isang wafer na maingat na ginawa mula sa semiconductor single crystal material, ay maaaring direktang ilagay sa paggawa ng wafer ...Magbasa pa