Silicon carbide (SiC)ay mabilis na nagiging isang ginustong pagpipilian kaysa sa silicon para sa mga elektronikong sangkap, lalo na sa malawak na bandgap application. Nag-aalok ang SiC ng pinahusay na kahusayan sa kuryente, compact na laki, pinababang timbang, at mas mababang pangkalahatang gastos sa system.
Ang pangangailangan para sa high-purity SiC powders sa electronics at semiconductor na industriya ay nagtulak sa Semicera na bumuo ng isang superior high-puritySiC pulbos. Ang makabagong pamamaraan ng Semicera para sa paggawa ng high-purity na SiC ay nagreresulta sa mga pulbos na nagpapakita ng mas malinaw na mga pagbabago sa morpolohiya, mas mabagal na pagkonsumo ng materyal, at mas matatag na mga interface ng paglago sa mga pag-setup ng paglaki ng kristal.
Ang aming high-purity na SiC powder ay available sa iba't ibang laki at maaaring i-customize para matugunan ang mga partikular na pangangailangan ng customer. Para sa higit pang mga detalye at para talakayin ang iyong proyekto, mangyaring makipag-ugnayan sa Semicera.
1. Saklaw ng Laki ng Particle:
Sumasaklaw sa submicron hanggang millimeter scale.
2. Powder Purity
Ulat sa pagsubok ng 4N
3.Powder Crystals
Sumasaklaw sa submicron hanggang millimeter scale.
4. Microscopic Morphology
5. Makroskopiko Morpolohiya
