Mataas na kadalisayan ng hilaw na materyal ng CVD Silicon Carbide

High purity CVD Silicon Carbide raw material Itinatampok na Larawan

Maikling Paglalarawan:

Ang Semicera high-purity CVD silicon carbide raw material ay isang semiconductor material na may mahusay na pagganap. Inihanda ito ng chemical vapor deposition (CVD) at may mahusay na mga katangian tulad ng mataas na kadalisayan, mataas na antas ng paghubog, at mababang density ng depekto. Ito ay isang mainam na pangunahing materyal para sa paggawa ng mga aparatong silicon carbide na may mataas na pagganap.

Magpadala ng email sa amin

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Ang High Purity CVD SiC Raw Material ng Semicera ay isang advanced na materyal na idinisenyo para gamitin sa mga application na may mataas na pagganap na nangangailangan ng pambihirang thermal stability, tigas, at electrical properties. Ginawa mula sa de-kalidad na chemical vapor deposition (CVD) na silicon carbide, ang hilaw na materyal na ito ay nagbibigay ng higit na kadalisayan at pagkakapare-pareho, na ginagawa itong perpekto para sa paggawa ng semiconductor, mga coating na may mataas na temperatura, at iba pang katumpakan na mga pang-industriyang aplikasyon.

Ang High Purity CVD SiC Raw Material ng Semicera ay kilala para sa mahusay nitong paglaban sa pagsusuot, oksihenasyon, at thermal shock, na tinitiyak ang maaasahang pagganap kahit na sa mga pinaka-hinihingi na kapaligiran. Ginagamit man sa paggawa ng mga semiconductor device, abrasive na tool, o advanced na coatings, ang materyal na ito ay nagbibigay ng matibay na pundasyon para sa mga application na may mataas na pagganap na humihiling ng pinakamataas na pamantayan ng kadalisayan at katumpakan.

Sa High Purity CVD SiC Raw Material ng Semicera, makakamit ng mga tagagawa ang higit na mahusay na kalidad ng produkto at kahusayan sa pagpapatakbo. Sinusuportahan ng materyal na ito ang isang hanay ng mga industriya, mula sa electronics hanggang sa enerhiya, na nag-aalok ng tibay at pagganap na pangalawa sa wala.

Ang Semicera high-purity CVD silicon carbide raw na materyales ay may mga sumusunod na katangian:

▪Mataas na kadalisayan:napakababang nilalaman ng karumihan, na tinitiyak ang pagiging maaasahan ng device.

▪Mataas na crystallinity:perpektong kristal na istraktura, na nakakatulong sa pagpapabuti ng pagganap ng device.

▪Mababang density ng depekto:maliit na bilang ng mga depekto, na binabawasan ang kasalukuyang pagtagas ng aparato.

▪Malaking sukat:ang malalaking sukat na silicon carbide substrates ay maaaring ibigay upang matugunan ang mga pangangailangan ng iba't ibang mga customer.

▪Pasadyang serbisyo:iba't ibang uri at mga pagtutukoy ng mga materyales ng silicon carbide ay maaaring ipasadya ayon sa mga pangangailangan ng customer.

u_107204252_192496881&fm_30&app_106&f_JPEG

Mga Bentahe ng Produkto

▪ Malawak na Bandgap:Ang Silicon carbide ay may malawak na bandgap na katangian, na nagbibigay-daan dito na magkaroon ng mahusay na pagganap sa malupit na kapaligiran tulad ng mataas na temperatura, mataas na presyon, at mataas na frequency.

▪Mataas na breakdown boltahe:Ang mga silicone carbide device ay may mas mataas na breakdown voltage at maaaring gumawa ng mas mataas na power device.

▪Mataas na thermal conductivity:Ang Silicon carbide ay may mahusay na thermal conductivity, na nakakatulong sa pagwawaldas ng init ng device.

▪Mataas na electron mobility:Ang mga silicone carbide device ay may mas mataas na electron mobility, na maaaring tumaas ang operating frequency ng device.